Полупроводники
13

Основными параметрами варикапа являются общая емкость Св, которая фиксируется обычно при небольшом обратном напряжении Uобр=2-5 В, и коэффициент перекрытия по емкости . Для большинства варикапов С=10-500 пФ и Кс=5-20.

Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды. В этих трех типах диодов используется эффект взаимодействия оптического излучения (видимого, инфракрасного или ультрафиолетового) с носителями зарядами (электронами или дырками) в запирающемся слое р-п-перехода.

В фотодиоде в результате освещения р-п-перехода повышается обратный ток. В полупроводниковом фотоэлементе при освещении р-п-перехода возникает обратное напряжение. В светодиоде в режиме прямого тока в зоне р-п-перехода возникает видимое или инфракрасное излучение.

 

3. Транзисторные технологии

 

3.1 Точечные транзисторы

 

Первым прибором, позволившим получить заметное усиление тока, был точечный транзистор Браттейна и Бардина. Такой транзистор представляет собой кусочек германия n-типа, припаянный к металлическому основанию, которое играет роль базового контакта. Эмиттерным и коллекторным контактами служат две заостренные бронзовые проволочки, прижатые концами к противоположной стороне германиевого элемента (рис. 4). Если расстояние между такими точечными контактами достаточно мало (порядка нескольких десятков микрометров), то можно получить коэффициент усиления тока, превышающий единицу. Удовлетворительный эмиттер можно сделать почти из любого металла, но хороший коллектор обязательно должен содержать примесь n-типа. Коллекторные контакты формируются подачей на коллекторный вывод импульса сильного тока. При этом медь проволочки с большой скоростью диффундирует в материал n-типа коллектора (германий) и в небольшой области превращает его в материал