Биполярные планарные транзисторы.Современные кремниевые планарные биполярные транзисторы почти полностью вытеснили германиевые из схем на дискретных компонентах в электронной промышленности и широко применяются в интегральных схемах, где германий вообще не используется. (Термин "планарные" означает, что все переходы выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем диоксида кремния. Термин "биполярные" означает, что используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов, о которых будет сказано ниже.)

Появление современного транзистора стало возможным благодаря успешному развитию фотолитографии, диффузии и выращивания кристаллов. Вообще говоря, существуют два вида транзисторных структур – из объемного материала и эпитаксиальная. Первая создается просто на поверхности пластинки из "массивного" кремния. Такой транзистор имеет тот недостаток, что у него большое последовательное сопротивление коллектора, нежелательное в случае переключающего устройства. Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого слоя кремния с высоким удельным сопротивлением (в котором может быть создана транзисторная структура), выращенного поверх толстого слоя сильно легированного материала.

3.2 Полевой МОП-транзистор

Полевые транзисторы.Еще в 1930 Лилиенфельд делал попытки управлять проводимостью поверхностного слоя в полупроводниковом материале. В 1948 Шокли и Пирсон сообщили в печати об управлении токами за счет поверхностного полевого эффекта. Но лишь в начале 1960-х годов появился практически пригодный МОП-транзистор (металл – оксид – полупроводник). В отличие от биполярного кремниевого транзистора, МОП-транзистор является униполярным, т.е. его действие основано на управлении основными носителями.