Выберем С1 >> СВЫХ + СН (для того чтобы емкости СВЫХ и СН не влияли на резонансную частоту). Емкость нагрузки СН примем равную 100 пФ. Пусть СНОМ = 10000 пФ, тогда

L = 1/(СКОН(2πf0)2) = 12 мкГн.

Известно, что для катушки индуктивности небольших размеров в диапазоне частот 0,1 – 1 МГц характерны величины добротностей Q=20~100. Потери в индуктивности контура обычно много больше потерь в емкости, и поэтому добротность контура определяется добротностью катушки. Выберем QКАТ=50, тогда

Определим эквивалентное сопротивление контура:

,

где RВЫХ=rК/(1+β)≈65360 Ом. Отсюда 1/R3=0,00058+0,0000153+0,002=0,0026, следовательно R3=385 Ом.

Найдем эквивалентную добротность усилителя:

QЭКВ=QRЭКВ/R0=19250/1739=11

Рассчитаем усиление на резонансной частоте:

Определим  емкость разделительного конденсатора

СР≥0,37/fН(RК + RВХ),

где RВХ- сопротивление нагрузки.

Следовательно, СР≥0,37/460,5∙103(385 + 500)=900 пФ. Из ряда номинальных ёмкостей выбираем величину ёмкости равную 10 нФ.