Розрахунок параметрів напівпровідникових інжекційних лазерів
2

Зміст

 

  1. Вступ   3
  2. Побудова зонної діаграми ДГС лазера   6
  3. Розрахунок порогової густини струму, ККД та спектру

ДГС лазера   7

  1. Розрахунок параметрів подвійної гетероструктури з квантово-розмірною активною областю для РО ДГС лазера на напівпровідникових з'єднаннях А3В5.                                                                                                                                                                        10
  2. Розрахунок складу твердого розчину AlxGa1-xAs, що задовольняє розрахованим параметрам квантової ями в з'єднанні GaAs / AlxGa1-xAs. Зонна діаграма даної напівпровідникової структури для РО ДГС лазера

Спектр випромінювання. Пороговий струм накачування            14

  1. Порівняння характеристик РО ДГС лазера  та полоскового ДГС лазера 17
  2. Висновки 18
  3. Список використаної літератури 19