а) напряжение: при UH≥20,0 В первоначально можно принять ЕК≈UH.

После выбора транзистора VT2 уточняем напряжение ЕК

(выбираем транзистор КТ 848А)

ЕК=UH+UЭК.НАС2=100+2=102 В

где: UЭК.НАС2 – напряжение на транзисторе VT2 в насыщенном состоянии.

б) Ток: IK=IH=10 A

1.4.2. Выбор транзистора VT2:

а) определяем сопротивление нагрузки:

RH=UH/IH=100/10=10 Ом

б) определяем наибольший коллекторный ток транзистора VT2:

IK2.МАКС.=ЕК/RH=102/10=10,2 A

в) определяем наибольшее коллекторное напряжение на VT2:

UЭК.МАКС.2≈ЕК=102 В

Выбираем транзистор VT2 с параметрами IK2 и UЭК2 определяемыми в соответствии с соотношениями:

IK2 ≥ IK2.МАКС            UЭК2 ≥ UЭК.МАКС.2

Для надёжной работы реле обычно выбирают ток и напряжение транзистора с запасом, т.е.:

0,7∙ IK2 ≥ IK2.МАКС                0,7∙ UЭК2 ≥ UЭК.МАКС.2

0,7∙15 ≥ 10,2 А                      0,7∙400 ≥ 102 В

10,5 А ≥ 10,2 А                          280 В ≥ 102 В

1.4.3. Для выбранного транзистора VT2 находим по справочной литературе следующие параметры:

а) коэффициент усиления В2=20

б) обратный коллекторный ток IKO2=0,001 А

в) напряжение отсечки (напряжение запирания) Uбэо2=0,7 В

1.4.4. Выбираем напряжение источника смещения Есм.

Напряжение Есм не должно превышать Ек. На основании опыта проектирования его можно выбирать в пределах Есм=(2-3) В.

Выбираем Есм=2 В.

1.4.5. Задаем степень насыщения транзистора VT2:

                                        S2=IБ2/IБ2нас.нач ≈1,5

1.4.6. Принимаем предварительно напряжение насыщения транзистора VT1 (на основании проектирования):

                                        UЭК1нас ≈ (0,5÷1,0)В

На основании данных расчетов выбираем транзистор VT1 КТ 802А