4. НИЗЬКОЧАСТОТНІ ПАРАМЕТРИ ТА ЕКВІВАЛЕНТНІ СХЕМИ ТРАНЗИСТОРА

При розрахунку параметрів каскаду за змінним струмом, коли зміна напруги і струмів транзистора проходить у зоні лінійних ділянок його характеристик, транзистор у схемах каскаду замінюють його еквівалентними схемами. Для цього використовують низькочастотні еквіваленти схеми транзистора з власними параметрами (рис. 4.1), що відображають фізичні якості структури транзистора, або з формальними гібридними параметрами еквівалентного транзистору чотирьохполюсника (рис. 4.2).

Рисунок 4.1 – Еквівалентна схема із власними параметрами

Власні параметри не залежать від схеми включення транзистора. Власними параметрами є:

r_e та r_c – диференційні опори емітерного та колекторного переходів;

r_bb’ – опір бази;

r_bb’’ – диференційний опір бази, що  враховує внутрішній зворотній зв'язок за напругою у транзисторі;

β – диференційний коефіцієнт передачі струму бази у нормальному активному режимі.