Rβ = H21 / Sp =

      S = =

15. Напряжение смещения, необходимое для обеспечения заданного угла отсечки:

      Есм = - [ cos(θ) + (1 - ) ∙ γ0(θ) ] + E =

16. Если Есм<0, то его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера:

      Rэ = - Есм / Ik0 =

17. Входное сопротивление в последовательном эквиваленте

      активное - 

      Rвх1 = rэ + [ rб + 2π ∙ fт ∙ Lб ∙ γ1(θ) + ] =

      реактивное -

      Хвх1 = 2π ∙ f ∙ Lэ + [ ] =

18. Входная проводимость в параллельном эквиваленте:

      Yвх1 = Gвх1 + jBвх1 = 1 / ( Rвх + jXвх) =

19. Потребляемая мощность: Р0 = Ik0 ∙ Eп =

20. Коэффициент полезного действия: η = Рн / Р0 =

21. Коэффициент усиления по мощности: kp  = ∙ Rkn / r вх1 =

22. Мощность возбуждения на входе умножителя: Рвх = Рвых / Кр =

23. Мощность рассеиваемая на транзисторе, не должна превышать допустимую:

      Ррас = Р0 – Рвых + Рвх < Ррас.доп

24. Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе:

      Ррас.доп = (tн.доп – tк) / Rпк =

       где  tн.доп, tк – допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора    соответственно; Rпк – тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (°С/Вт).

25. Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора Lk и емкость   коллекторного перехода Ck в параллельном эквиваленте соответственно: