Принцип роботи тунельного діода
11

Важливим параметром є також відношення , яке характеризує нахил спадаючого відрізка ВАХ діодів на основі одного і того ж матеріалу. Параметри тунельних діодів залежать від властивостей початкового матеріалу і ступеню легування. Зонні діаграми показують що напруги Up, Uv, UF залежать від ступеню перекривання енергетичних зон. Принципово більшого перекривання можна одержати в р-n - переходах на основі матеріалів з широкою забороненою зоною. Тому арсенід-галієві діоди характеризуються найбільш високими величинами цих напруг. Із зміною концентрації домішок змінюються усі параметри, однак, ступінь зміни виявляється різною. Струми Ip і Iv можуть змінюватися на 1−2 порядки, в той час як напруги Up, Uv, UF змінюються тільки в межах своїх значень. Тому нахил спадаючого відрізка характеристики буде визначатися відношенням. Вольт-амперна характеристика і параметри тунельного діода піддаються меншому впливу зміни температури порівняно із звичайними діодами, так як обидва прошарки р-n - переходу є виродженими напівпровідниками (напівметалами). Ступінь і характер температурної залежності параметрів визначається концентрацією домішок. Наприклад, для германієвих діодів при слабкому легуванні із зростанням температури струм "піка" зменшується, а при високому ступеню легування − зростає. Таким чином, змінюючи ступінь легування, можна суттєво ослабити температурну залежність струму "піка" в широкому інтервалі зміни температури. Напруга Up практично залишається постійною, в той же час як Uv і Iv суттєво залежать від температури. Із зростанням температури струм "впадини" Iv зростає, а напруга Uv - зміщується в бік менших значень. Максимальна робоча температура для діодів з германію дорівнює +2000 С˚, а для діодів з арсеніду галію +4000С˚.