де rs − опір розтікання бази і омічних контактів;

L − індуктивність виводів;

/r_ / − модуль від’ємного опору;

Сб − бар’єрна ємність діода.

Тунельний діод буде виконувати свої функції до тих пір, поки дійсна частина повного опору залишається від’ємною із збільшенням частоти. Гранична частота знаходиться з умови R =0.

(1.2)

Власна резонансна частота діода 0 визначається рівністю нулю уявної частини повного опору Х=0.

(1.3)

Реалізація НВЧ пристроїв на тунельних діодах легко здійснюється до частот  ω ≤ω0, тобто до частот на яких повний опір не стане чисто активним. Це виконується при умові:

ω ≥ωгр(1.4)

З порівняння формул (1.2) та (1.3) видно, що для виконання умови (формули 1.4) необхідно, щоб L</ r_/·rs· Cб. Таким чином для забезпечення роботи діода на якомога більш високих частотах необхідно мати як можна менше значення Cб, L, rs. Ємність тунельного діода при напругах менших Uv чисто бар’єрна. Величини ємності відповідно з (3.3) визначаються площею переходу і концентрацією домішки. Цими ж параметрами визначається струм "піка", зв’язаний з від’ємним диференціальним опором за формулою: