Висновок

В ході виконання курсового проекту було розглянуто основні методи вимірювання тунельного діода та розроблено схему приладу, що вимірює його параметри.

До тунельних відносяться діоди, у яких за рахунок тунельного ефекту на прямий галузі вольт-амперної характеристики існує область з негативним диференційним опором.

Недоліком тунельних діодів є мала потужність через низьких напруг (десяті частки вольта) і малих площ переходу. Основні параметри тунельних діодів: напруга і струм піку Uпі Iп; напруга і струм западини Uв і Iв; відношення струмів Iп / Iв; напруга розчину U р, рівне прямому напрузі, більшому Uв, при якому струм дорівнює піковому; ємність діода С; негативна провідність gпер = d I / d U, що визначається на середині падаючого ділянки вольт-амперної характеристики; опір втрат rп. Параметри залежать від вибору напівпровідника (ширини забороненої зони) і ступеня його легування.

Завдання курсового проекту виконано, мета – досягнута.