Выводы
1. Процесс получения сульфида кадмия n-типа электропроводности путем выращивания эпитаксиальных слоев из газообразных компонентов возможен с точки зрения термодинамики при предлагаемых условиях проведения процесса:
TCd = 847 К
TTe2 = 625К
TCdTe = 1200 К
В качестве рекомендаций можно предложить откачать ампулу реактора до максимального высокого вакуума, не использовать нижние слои полупроводникового соединения.
Приведем принципиальную схему реактора и приблизительное распределение температур:
Рис. 4.1. Принциапиальная схема реактора с тремя температурно независимыми зонами: A – для подогрева и испарения Cd, B – для подогрева и испарения Te2, AB – для синтеза CdTe.