Проектирование широкополосного усилителя
17
Между выводами 11 и 13 микросхемы включим дополнительный резистор R1=R2=Rд=160 Ом, уменьшающий эмиттерное сопротивление первого транзистора до величины:
Рассчитаем коллекторные токи:
где EK=12,6 В -напряжение питания К265УВ7.
Потенциалы в коллекторных и эмиттерных узлах:
UЭ1=IK1RЭ0=1,055 В;
UЭ2=IK2R8=2,811 В;
UK2=E-R7(IK1+IK2)=8,693В;
UK1= UK2-IK1R4=3,511 В.
Для падений напряжений на транзисторах:
UКЭ1=UK1-UЭ1=2,456 В;
UКЭ2=UK2-UЭ2=5,882 В.