Частота, на которой крутизна транзистора уменьшается до 0.7 от S:
fS = 1 / (2S)=
Нормированная частота S=fВХ/f=
Косинус фазового аргумента крутизны на частоте fS
12. Амплитуда напряжения возбуждения:
13.Фаза первой гармоники тока коллектора в градусах:
1 = 18 + (47.4 – 22 / S)(0.38 + 1)=
14. Входная проводимость (параллельный эквивалент):
15. Входное сопротивление (последовательный эквивалент)
16. Мощность возбуждения:
17. Коэффициент усиления мощности: Кр = Рвых/Pв =
18. Потребляемая мощность: Р0 = IК0EП=
19. Коэффициент полезного действия: = PН / P0=
20. Мощность, рассеиваемая на транзисторе, не должна превышать допустимую
PРАС = Р0 – РВЫХ + РВХ=
21. Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе:
PРАС.ДОП = (tН.ДОП – tК) / RПК=
где tН.ДОП, tК – допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; RПК – тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (ОС/Вт).
22. Напряжение смещения: