Как только транзистор Т2 закроется и потенциал его коллектора понизится, т. е. уменьшится потенциал правой обкладки конденсатора С1, начнется заряд конденсатора С1. В течение протекания зарядного тока по сопротивлению RK2 потенциал коллектора второго транзистора ик2 определяется выражением ик2 = — (Ек — iзарRK2).
Время восстановления:
. (1.9)
В течение времени tв2 базовый ток транзистора определяется выражением:
. (1.10)
Максимальное значение базового тока можно определить следующим образом:
. (1.11)
Закон изменения напряжения на базе второго транзистора имеет вид:
(1.12)
Тогда длительность периода автоколебаний
, (1.13)
где
е0 – напряжение отсечки входных характеристик.
Также на транзисторах можно построить ждущие мультивибраторы (например, мультивибратор с коллекторно-базовыми связями).
В качестве импульсных генераторов на транзисторах можно использовать симметричные триггеры. Это мультивибраторы с двумя устойчивыми состояниями равновесия, в которых переход схемы из одного устойчивого состояния в другое осуществляется входным пусковым импульсом.
На транзисторах можно построить генераторы пилообразного напряжения, фантастроны, блокинг-генераторы и др.
Фантастрон является генератором прямоугольных и пилообразных импульсов. Запускаясь кратковременным входным импульсом, ждущий фантастрон генерирует импульс, длительность которого может в широких пределах изменяться путем изменения параметров и режима работы генератора.
Блокинг-генератор представляет собой однокаскадный релаксационный генератор с сильной положительной обратной связью, осуществляемой с помощью импульсного трансформатора. Блокинг-генераторы используются для генерирования прямоугольных импульсов с амплитудой, примерно равной напряжению источника питания, а при использовании повышающей нагрузочной обмотки импульсного трансформатора – повышающей это напряжение. Длительность генерируемых импульсов лежит в пределах: десятки наносекунд – сотни микросекунд. Импульсы генерируются со скважностью от нескольких единиц до нескольких сотен.