;
Вихідна провідність:
, |
(4.6) |
См.
Через hE – параметри можна також визначити і власні параметри транзистора. Для цього треба розглянути схему (рис. 4.1) при холостому ході на вході та короткому замиканні на виході і отримати вирази для hE – параметрів чотирьохполюсника, еквівалентного даній схемі. А із цих виразів отримаємо вирази для власних параметрів через hE – параметри:
Диференційний опір емітерного переходу визначається як:
, |
(4.7) |
Ом;
Опір бази: , |
(4.8) |
Ом;
Диференційний опір бази визначаємо за наступним рівнянням: , |
(4.9) |