Полупроводники
7

обратным, а р-п-переход – закрытым.

При противоположной полярности источника напряжения (рис. 1.2,б) внешнее электрическое поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается и при напряжении 0,3 – 0,5 В запирающий слой исчезает. Сопротивление р-п-перехода резко снижается, и возникает сравнительно большой ток. Ток при этом называется прямым, а переход – открытым.

Зависимость тока через р-п-переход от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ) электронно-дырочного перехода.

 

Рис. 1.3. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода

 

На рис. 1.3 показана полная ВАХ открытого и закрытого р-п-переходов. Эта характеристика является существенно нелинейной. На участке 1 Евн<Езап и прямой ток мал. На участке 2 Евн>Езап, запирающий слой отсутствует, ток определяется только сопротивлением полупроводника. На участке 3 запирающий слой препятствует движению основных носителей, небольшой ток определяется движением неосновных носителей заряда. Излом ВАХ в начале координат обусловлен различными масштабами тока и напряжения при прямом и обратном направлениях напряжения, приложенного к