Учитывая условия для  VT1, выбираем соответствующий транзистор типа КТ815А с параметрами:

Iк max доп = 1.5(А),

Uк max доп =25 (В),

Pк max доп. (с радиатором)= 10 (Вт),

Pк max доп. (без радиатора)= 1 (Вт),

β1 = 40.

Для выбора VT2 вводим соотношение Iк VT1 ≈ Iк VT2 = IσVT1

Ток базы VT1 найденный по формуле:

Напряжение на коллекторе VT2 рассчитываем по формуле:

UкеVT2max ≈ UкeVT1max.

Напряжение рассеивания на коллекторе  VT2 находим по формуле:

Pк2max ≈ Uке2max · Iк2 ;

Pк2max ≈ 8.64 · 0,015 = 0,129 (Вт),

где  с достаточной точностью Iк2 = Iσ1.

Выбираем тип транзистора, согласно условий для транзистора:

Iк.max доп. > Iσ1;

Uк.max доп. > Uк.2max;

Pк.max доп. > Pк2max;