;

Вихідна провідність:

См.

Через h_E – параметри можна також визначити і власні параметри транзистора. Для цього треба розглянути схему (рис. 4.1) при холостому ході на вході та короткому замиканні на виході і отримати вирази для h_E – параметрів чотирьохполюсника, еквівалентного даній схемі. А із цих виразів отримаємо вирази для власних параметрів через h_E – параметри:

Диференційний опір емітерного переходу визначається як:

Ом;

Ом;