R₃ =R_К=R_НД=150 Ом,  тогда R_Н= R_НД /2=75 Ом.

Амплитуда переменной составляющей коллекторного тока:

.

Постоянная составляющая коллекторного тока:

I_K=(1,52)I_K=0,04 A.

Определим напряжение питания. Для этого положим:

I_K=0,1I_K=4 мА - допустимое приращение коллекторного тока в результате температурной нестабильности характеристик.

U_ОСТ=2 В - остаточное напряжение на коллекторе.

U_Э=U_НС-U_БЭ=5,37 В -напряжение на эмиттере транзистора.

U_НС=5,37 В -  постоянная составляющая на выходе ИС К265УВ7.

E_K(I_K+I_K)R_K+E_ВЫХ+U_Э+U_ОСТ=15,97 В.

Полученное значение округляем до большего типового значения E_K=18В.

Напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке:

U_КЭ=E_K -U_Э -I_KR_K=6,63 В.

Необходимое сопротивление постоянному току в эмиттере:

R₅ =R_Э =U_Э/I_K=134,25Oм.

Для выбора транзистора по энергетическим параметрам запишем систему неравенств: