1.5.3. Вимоги на етапі контролю за мікросхемами
На етапі контролю повинні бути виявлені і відбраковані всі схеми з низькою завадостійкістю. Спеціально для цього в систему контролю вводиться новий вид - динамічний контроль функціонування. Контроль проводиться в декількох режимах:
- функціонування на максимальній частоті;
- реакція на рідкісні поодинокі імпульси мінімальної тривалості;
- функціонування на резонансних частотах [4].
При звичайному динамічному контролі (при вимірюванні затримок і фронтів) відбраковуються схеми, які не відповідають нормам на параметри вихідних сигналів/
1.5.4. Вимоги на етапі застосування ІМС
На етапі застосування ІМС слід виконувати всі рекомендації викладені в технічних умовах і керівних матеріалах по застосуванню. Рекомендовані наступні засоби підвищення завадостійкості, наведені нижче.
- При роботі виходу ІМС на максимальній частоті не слід підключати до лінії зв'язку число входів вище рекомендованого. На частоті 1000 Мгц і 50-омной лінії зв'язку підключають не більше 4-х входів.
- Ланцюги живлення схеми і вихідних транзисторів виконують роздільно і об'єднують їх лише поза платою. Слід прагнути до зменшення індуктивності ланцюгів живлення. Загальна шина екранів і ліній зв'язку повинна займати все вільне місце плати. У багатошарових платах для загальної шини виділяється окремий шар. Загальні шини екранів і живлення гальванічно треба з'єднати на платі через фільтруючу індуктивність.
- Якщо мікросхема має декілька виводів для підключення до одного ланцюга живлення, то слід підключити всі виводи. Загальний вивід живлення для джерел опорних напруг ІМС повинен підключатися до загальної шини екранів і ліній зв'язку.