1.1.          Получение ВТСП-лент II поколения.

По созданию ВТСП-лент II поколения существует 2 принципиально разных подхода. В одном из них в качестве подложки берется поликристаллическая нетекстурированная лента, в другом подходе – лента с двуосной текстурой.

Осаждение функционального буферного слоя при использовании нетекстурированных лент производят физическими методами. Одним из них является метод осаждения под косым углом к подложке (ISD). Поток осаждаемых частиц, распыленных электронным лучом из мишени, направляется под строго определенным углом к подложке. Кристаллиты, имеющие определенную кристаллографическую ориентацию, растут при этом быстрее других, создавая слой с преимущественной ориентацией. Недостатками этого метода является колончатая структура получаемых пленок, их плохая ориентация в плоскости, а так же то, что таким методом можно наносить только пленки простых оксидов.

Альтернативным методом работы с нетекстурированными лентами является осаждение со вспомогательным ионным пучком (IBAD). Пучок ионов из мишени направляется по нормали подложки, а все кристаллиты, имеющие отличные от желаемой ориентацию, стравливаются дополнительным ионным пучком, направленным под определенным углом на поверхность подложки. Однако метод IBAD так же, как и ISD подходит только для осаждения простых оксидов или твердых растворов, что соответственно ограничиваетобласть его применения.

Этих ограничений можно избежать, используя подход к созданию ВТСП-лент, при котором металлическая подложка, служащая основой такой ленты, изначально имеет двуосную текстуру, придаваемую ей на стадии изготовления. На ее поверхность эпитаксиально осаждается буферный слой, затем слой ВТСП и, наконец, металлический защитный слой.