Rβ = H21 / Sp =
S = =
15. Напряжение смещения, необходимое для обеспечения заданного угла отсечки:
Есм = - [ cos(θ) + (1 - ) ∙ γ0(θ) ] + E =
16. Если Есм<0, то его можно реализовать с помощью резистора в цепи эмиттера:
Rэ = - Есм / Ik0 =
17. Входное сопротивление в последовательном эквиваленте
активное -
Rвх1 = rэ + [ rб + 2π ∙ fт ∙ Lб ∙ γ1(θ) + ] =
реактивное -
Хвх1 = 2π ∙ f ∙ Lэ + [ ] =
18. Входная проводимость в параллельном эквиваленте:
Yвх1 = Gвх1 + jBвх1 = 1 / ( Rвх + jXвх) =
19. Потребляемая мощность: Р0 = Ik0 ∙ Eп =
20. Коэффициент полезного действия: η = Рн / Р0 =
21. Коэффициент усиления по мощности: kp = ∙ Rkn / r вх1 =
22. Мощность возбуждения на входе умножителя: Рвх = Рвых / Кр =
23. Мощность рассеиваемая на транзисторе, не должна превышать допустимую:
Ррас = Р0 – Рвых + Рвх < Ррас.доп
24. Допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе:
Ррас.доп = (tн.доп – tк) / Rпк =
где tн.доп, tк – допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; Rпк – тепловое сопротивление переход-корпус транзистора (°С/Вт).
25. Сопротивление нагрузки с учетом индуктивности вывода коллектора Lk и емкость коллекторного перехода Ck в параллельном эквиваленте соответственно: