3. Расчет транзисторного усилителя мощности:

1.Коэффициент использования транзистора по коллекторному напряжению в граничном   режиме: ξ=0,5∙[1+]=

  где Рr=(0.75-0.9)P1=

   Sгр=15*Р1/Ек=

2. Амплитуд напряжения эквивалентного генератора (ЭГ): Uг= ξ∙Еk=

3. Амплитуда тока первой гармоники (ЭГ): Iг1=2∙Рг/Uг=

4. Пиковое значение на коллекторе транзистора не должно превышать допустимое:

    Uk_пик=Еk+Uг<Uкэ_доп

5. Сопротивление нагрузки ЭГ: Rн=Uг/Ir1=

6. Крутизна по переходу: Sp = =

7. Сопротивление рекомбинации не основных носителей в базе: rβ=H21/Sp=

8. Крутизна статической характеристики: S = =

9. Угол отсечки

10. Коэффициенты разложения для нулевой и первой гармонических составляющих:

    γ0=(sinθ - θ ∙ cosθ)/π=

     γ1=(θ – sinθ ∙ cosθ)/π=

11. Пиковое обратное напряжение на эмиттерном переходе:

      Uэб_пик = │Е’ - │<Uэб_доп

12. Управляющий ток: Iy = j ∙ Ir1=

      где τn =0.4/2π ∙ fт – время пролета не основных носителей – τn=

13. Ток эмиттера: Iэ1 = Iy + Ir1 =

14. Напряжение на сопротивление rэ с учетом индуктивности Lэ:

      Uэ = Iэ1(rэ+j ∙ 2π ∙ f ∙ Lэ) =

15. Первая гармоника напряжения на переходе: Un1 = - j ∙ Iy =

16. Напряжение на активной емкости коллекторного перехода (Ска):