Вступ

Будь-який сучасний радіоелектронний пристрій будується на базі напівпровідникових елементів: діодів, транзисторів і інтегральних схем. Характеристики всіх цих елементів даються у вигляді паспортних даних. Однак виникає необхідність провести виміри і визначити найбільш важливі параметри елементів.

До таких параметрів у напівпровідникових діодів і транзисторів відносяться прямий і зворотний опори по постійному струму, прямі і зворотні струми і ємності ρ – п - переходів, імпульсні параметри (пряма імпульсна напруга, час установлення і відновлення спадання напруги на р - п - переході), а також статичні параметри транзисторів.

В даному курсовому проекті буде розроблений пристрій вимірювання параметрів тунельного діода, згідно із завданням та вихідними даними.