характеристики; опір втрат rп. Параметри залежать від вибору напівпровідника (ширини забороненої зони) і ступеня його легування. Збільшення концентрації донорів призводить до зростання Iп і Iв. Підвищення концентрації акцепторів збільшує Iп, Uп,Iв і Uв. Напруги Uп і Uр зростають при збільшенні ширини забороненої зони. Час тунельного проходження електронів через p - n - перехід становить 10-13 с. Насправді тунельні діоди працюють з меншим швидкодією через ємності діода і втрат. Гранична, або резистивна, частота f r,на якій активна складова повного опору кола,представленої на (рисунок1.3), звертається в нуль, знаходиться за формулою:

Рисунок 1.3Еквівалентна схема тунельного діода

Максимальне значення цієї частоти виходить при rп = 1 / (2 gпер) і. Отже, частотні властивості тунельного діода визначаються постійною часу rпС. За своїм призначенням тунельні діоди поділяються на підсилювальні, генераторні, перемикальні. Тунельні діоди дозволяють створювати підсилювачі, генератори змішувачі в діапазоні хвиль аж до міліметрових. На тунельних діодах можна будувати і різні імпульсні пристрої: тригери, мультивібратори і спускові схеми з дуже малим часом перемикання.