Електричні властивості напівпровідників і діелектриків багато в чому визначаються ступенем заповнення електронами валентної зони і шириною забороненої зони ΔЕ. між верхньою межею валентної зони і нижньою межею зони провідності (рис. 4). Будь-який процес, що відбувається з електронами, зводитися до зміни їх станів. Але якщо в межах зони всі стани заповнені, то в цій зоні неможливі ніякі зміни швидкості, енергії, напрямки спіна. Тому електрони цілком заповненої зони не можуть брати участь у перенесенні електричних зарядів, залишаючись в цій зоні. Для металів характерне те, що зона провідності заповнена частково, а в діелектриків і напівпровідників при Т = 0 всі електрони перебувають у валентній зоні, а при Т> 0 електрони частково заповнюють
Рис. 4. зону провідності.
Домішки призводять до виникнення в забороненій зоні локальних енергетичних рівнів, характерних для них. Домішками n-типу називають речовини, при введенні яких у кристал утворюються домішкові рівні поблизу нижньої межі зони провідності. Для електронів, що знаходяться на цих рівнях, внаслідок меншого проміжку ΔЕg для цього рівня, в порівнянні ΔЕ (рис. 4), ймовірність переходу в зону провідності буде більшою, ніж для електронів валентної зони. Тому ці рівні І є донорами електронів. Навпаки, рівні ІІ домішок поблизу верхньої межі валентної зони є акцепторами електронів, покидаючих валентну зону (рис. 4).
Сукупність експериментальних даних про будову і електричні властивості рідин і скла, так і теоретичний розгляд одно- і трьохмірної моделі рідини, яка володіє лише ближнім порядком, вказують на застосовність зонної теорії до аморфних тіл. Метод розгляду властивостей електрона в аморфному тілі за допомогою деформованої системи координат дозволив довести існування